Chip 3NM TSMC Sangat Superior, Qualcom 8 Gen 3 Sebagian Besar Dialihkan dari Samsung

Prosesor kelas atas qualcom Snapdragon 8 Gen 3 Akan diproduksi oleh dua raksasa pengecoran yaitu Samsung dan TSMC. Namun kemungkinan besar Qualcom akan memberikan kuota lebih banyak ke TSMC, sementara yang di produksi oleh samsung kemungkinan akan dibeli lagi oleh samsung untuk produk ponsel flagshipnya.

Selain itu, Snapdragon 8 Gen 2, prosesor aplikasi (AP) top-of-the-line Qualcomm yang baru juga sedang diproduksi oleh TSMC. Namun Versi overclock dari chip yang digunakan untuk menjalankan seri Samsung Galaxy S23 mendatang akan dibuat oleh Samsung Foundry. Perbedaannya adalah kecepatan clock yang lebih cepat untuk inti kinerja tinggi X-3 CPU yang akan berjalan pada 3,32GHz dibandingkan dengan kecepatan clock 3,2GHz untuk versi TSMC.

Samsung memproduksi chip Snapdragon 8 Gen 1 tahun lalu. Tetapi hasil yang rendah menyebabkan Qualcomm beralih ke TSMC untuk Snapdragon 8+ Gen 1 dan Snapdragon 8 Gen 2.

Hasil tersebut adalah persentase chip yang diproduksi pada wafer silikon tunggal yang melewati kontrol kualitas. Samsung Foundry memiliki hasil hanya 35% untuk chip 4nm Snapdragon 8 Gen 1. Sementara itu, hasil TSMC untuk chip 4nm-nya dua kali lipat dari Samsung Foundry sebesar 70%.

Seminggu terakhir ini, TSMC memulai produksi massal chip 3nm menggunakan node proses N3 beberapa bulan setelah Samsung Foundry mulai memproduksi chip menggunakan node 3GAE (kelas 3nm, gate-all-around early).

Semakin rendah jumlah node proses, semakin tinggi jumlah transistor (jumlah transistor di dalam sebuah chip) membuat komponen ini lebih bertenaga dan hemat energi.

Misalnya, seri iPhone 11 2019 menampilkan 7nm A13 Bionic SoC dengan 8,5 miliar transistor di dalamnya. A16 Bionic tahun ini, diproduksi menggunakan node proses 4nm TSMC, mengandung hampir 16 miliar transistor.

Sebuah laporan oleh Tom’s Hardware mengutip analis yang dihubungi oleh Business Next untuk memperkirakan bahwa hasil N3 TSMC dapat berada dalam kisaran 60% -70% atau setinggi 75% hingga 80%.

Samsung, di sisi lain, terus mengalami masalah dengan hasil. Sumber industri mengklaim bahwa hasil tahap awal Samsung Foundry pada produksi 3GAE-nya berkisar antara 10% dan 20% yang berarti membutuhkan lebih banyak uang dan membutuhkan lebih banyak waktu bagi Samsung untuk mengakumulasi jumlah chipset yang sama dengan TSMC.

Node 3nm Samsung berbeda dari TSMC

Kami harus menunjukkan bahwa karena sebagian besar produksi mutakhir TSMC dibuat untuk Apple, akan lebih mudah untuk mencapai hasil yang lebih tinggi daripada Samsung di awal era 3nm ini. Apple mungkin satu-satunya pelanggan TSMC yang memesan produksi N3 sementara pelanggan lain menunggu tahap selanjutnya dari node ini yaitu N3E.

Chip 3nm Samsung memiliki perbedaan struktural yang besar dari TSMC. Samsung menggunakan transistor gate-all-around (GAA) yang memungkinkan kontrol lebih besar atas aliran transistor saat ini.

Ini karena transistor GAA memiliki lembaran nano yang ditumpuk secara vertikal untuk menutupi keempat sisi saluran agar lebih terkontrol dan lebih sedikit kebocoran. Node 3nm TSMC masih menggunakan transistor FinFET yang menempatkan “sirip” secara horizontal yang hanya menutupi tiga sisi saluran. TSMC akan beralih ke GAA untuk produksi 2nmnya.

Produksi 2nm memang mengintai di sekitar sudut dengan TSMC dan Samsung ingin mulai membuat chip tersebut pada tahun 2025. Peta jalan Samsung menyerukan node 1.4nm pada tahun 2027 sementara TSMC telah berbicara secara samar tentang 1nm.